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表面清洗
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光刻胶工艺
去除光刻胶,又被称为 “剥离”或 “灰化”,是广泛应用于半导体元件、MEMS或光电元件制造过程中的一种工艺。目前等离子清洗设备多采用微波激发等离子体工艺。微波激发等离子体工艺既能实现更高的去胶效率,又能对敏感的C-MOS元器件保持最低程度的损害,可用于光刻胶的完全灰化和部分去除(去残胶或闪光工艺),作为后续工艺步骤前的预处理。
根据元器件的特性和成本效益要求,该工艺可实现的批量大小为50片晶圆,每次运行最多可容纳25片直径为200毫米的晶圆。批量处理的优点在于具有最大化的成本效益,并且能够同时去除晶圆两面的涂料。此外,我们的系统能够在不超过预设最高温度的情况下以温度控制的方式进行加工。
针对要求较高的应用领域,我们可提供单层系统,其晶圆尺寸可达300毫米。单层系统工艺可实现更精准的控制,最大限度优化去胶率、均匀性和终点检测结果。
大多数工艺均以氧气工艺为基础,而部分工艺则采用了特殊添加气体(注:行业内称之为“电子特气”),具体取决于被加工材料的要求。针对易氧化的敏感层,可选择氢气工艺,以防止暴露层的氧化。
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用于粘合的等离子体工艺
PVA TePla特殊的清洗工艺被广泛应用于打线或元件铸造前,用于倒装芯片元件底部填充前的清洗,以便去除表面氧化层以及实现表面活化。根据不同的应用类型,我们使用不同类型的等离子体激发和系统配置。对于大规模生产,我们主要使用手动装载系统,这是因为手动装载系统既设计简单,又具有高产量效果,可实现最大的成本效益。
针对提高生产效率及品质,通过等离子体工艺进行表面修整是当今半导体行业最常见方式之一。特别是在打线前,由于制造芯片对铜线的要求越来越高,在芯片和引线框上通过等离子体清洗焊线表面现在是一个必不可少的过程,这一过程可确保芯片制造的高产量。PVA对产品质量和生产溯源具有高度的要求,为此,我们研发了自动装载系统。