物理气相传输法是通过物理升华现象在籽晶上生长晶体的方法,该方法是由Lely法改进而来。如今,PVT工艺被认为是碳化硅单晶生长的标准方法。凭借出色的性能,使用 PVT 工艺生产的晶体主要用于半导体行业(半导体材料)和微电子行业等研发领域。
通过PVT工艺,使多晶碳化硅(SiC)在高温(1,800 - 2,600℃)和低压真空环境下的源头进行升华。由此产生的硅和碳颗粒在载气(如惰性气体:氩气)中经过自然传输机制被输送到较冷的籽晶中,通过过饱和状态而产生结晶。与CVD方法相比,PVT工艺不与载气发生化学反应。籽晶通常位于坩埚的顶部,以防止掉落的颗粒造成污染。
PVA TePla´s旗下 PVT-系列系统是专为半导体行业和研发领域生产碳化硅晶体而设计的。
了解更多PVT系统资讯
PVA TePla Singapore Pte. Ltd. 12 New Industrial Road, #05-03 Morningstar Centre Singapore, 536202
Telephone: +65 9631 4005
E-Mail: sales-sg@pvatepla.com Web: www.pvatepla-singapore.com