物理气相传输（PVT)

物理气相传输法是通过物理升华现象在籽晶上生长晶体的方法，该方法是由Lely法改进而来。如今，PVT工艺被认为是碳化硅单晶生长的标准方法。凭借出色的性能，使用 PVT 工艺生产的晶体主要用于半导体行业（半导体材料）和微电子行业等研发领域。

工艺

通过PVT工艺，使多晶碳化硅（SiC）在高温（1,800 - 2,600℃）和低压真空环境下的源头进行升华。由此产生的硅和碳颗粒在载气（如惰性气体：氩气）中经过自然传输机制被输送到较冷的籽晶中，通过过饱和状态而产生结晶。与CVD方法相比，PVT工艺不与载气发生化学反应。籽晶通常位于坩埚的顶部，以防止掉落的颗粒造成污染。

应用

PVA TePla´s旗下 PVT-系列系统是专为半导体行业和研发领域生产碳化硅晶体而设计的。

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