工艺
通过PVT工艺，使多晶碳化硅（SiC）在高温（1,800 – 2,600℃）和低压真空环境下从原料中升华。由此产生的硅和碳颗粒在工艺气体气（如惰性气体：氩气）中经过自然传输机制被输送到较冷的籽晶中，通过过饱和状态而产生结晶。与CVD方法相比，PVT工艺不与工艺气发生化学反应。籽晶通常位于坩埚的顶部，以防止掉落的颗粒造成污染。
由于PVT工艺生产的晶体具有优异的性能，因此在半导体行业和微电子行业等研发领域得到广泛应用。这些领域对高质量单晶材料的需求非常高，因为这些材料需要具有特定的物理和化学性质以满足先进电子器件的要求。
应用
PVA CGS旗下 PVT-系列系统是专为半导体行业和研发领域生产碳化硅晶体而设计的。
PVA的SICma 系统除了高度的自动化和可控性，PVT系统还具有极高的稳定性和可靠性。这些系统以最新的技术和设计原理为基础，精心制造而成。可使用的籽晶片尺寸为直径100至150毫米（4” – 6”）。鉴于该系统的高度自动化和紧凑设计（较小的占地面积），可以实现该系统的生产规模最大化。
同时，这些系统还采用了严格的质量控制工艺，以确保每一个生产步骤都得到了精细的控制和监测，从而最大程度地降低了生产过程中的风险。此外，PVT系统还可以根据客户的需求和规格进行定制，以满足不同客户的特定要求。这个灵活性不仅为客户提供了更多的选择和可能性，同时也提高了客户的满意度和信任度。因此，这些功能和特点使PVT系列系统成为半导体行业和研发机构首选的生产设备之一。