高温化学气相沉积法 (HTCVD)

HTCVD工艺是碳化硅晶体生长的重要方法，可用于制成低开关损耗的肖特基二极管以及蓝色发光二极管。碳化硅作为新一代半导体材料的核心，具有耐高温、耐高压、耐大剂量电离辐射等优越性能，被广泛应用于制造耐高温抗辐射电子器件、半导体器件和真空管中。得益于良好的导热性特点，碳化硅也被用作其他半导体的衬底材料。

工艺介绍

经过气相化学反应后，固体生成物会沉积在衬底材料的热表面上。为了生成碳化硅晶体，必须要有反应源气体化合物的存在，从而使得碳化硅可以在特定的反应温度下继续生长。用于化学气相的HTCVD法在要涂层的衬底材料表面上涉及至少一种化学反应，为了确保表面反应优先于气相中的竞争反应，进而防止固定颗粒的形成，化学气相沉积工艺通常在低压下进行。

应用

PVA TePla HTCVD系列系统专为生产高纯度碳化硅而量身打造，可广泛应用于半导体、电力电子和光电子等领域。