直拉法工艺 (Cz)

直拉法工艺(Cz),又被称为“晶体提拉法”或“提拉法”,是半导体晶体生长的主要方法。在该过程中,硅(Si)首先被熔化,然后以可控的方式冻结成结晶状态。直拉工艺的优势在于速度快,可控程度高。如今,使用直拉法工艺(Cz)制备高纯度单晶硅晶体已被广泛应用于太阳能行业及半导体行业(计算机集成电路领域及微系统技术领域)中,例如用于制造集成电路、晶体管、传感器及硅光电池等。此外,直拉法工艺还能帮助客户以高效的速度生产出高品质的晶体。

工艺介绍

首先,将高纯度多晶硅放置在单晶提拉系统中的石英坩埚中,然后使用电阻加热器在可控气氛(氩气)下对多晶硅进行加热熔化。当熔体的温度稳定下来(熔点约为1412℃),就将旋转的单晶硅籽晶插入熔体。轻微的温度下降熔体就会在籽晶上结晶。缓慢向上提拉籽晶,挂在籽晶上的单晶硅棒就会开始形成。调节提拉速度及温度,使硅单晶能够以恒定的直径进行生长(注意:硅单晶的方向及结构与籽晶相同)。 

应用 

PVA TePla EKZ系列系统专为Cz工艺量身打造,专注于生产出高性能、高品质的硅单晶。 

 

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