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GIGAfab M等离子系统
GIGAfab M等离子系统可用于具有更严苛要求和特殊等离子源的应用中，适用于半导体行业等多个领域。基板由手工装载到工艺室，从单个最大到 300 mm晶圆（也包含薄膜减薄）到少数几片更小的晶圆。均匀性高达 5% 的平面源用于去除光刻胶（通过 300 mm晶圆测量）。或者，在远程操作中，径向源可用于蚀刻硅并减少薄晶圆或组件上的应力。
等离子系统 GIGAfab M的优势及相关设备：
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配备带拉出式工作台的工艺室
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晶圆支架安装在内部，可根据应用进行加热或冷却
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或者，带有冷却回路和冷却单元的系统，温度范围为 20 °C 至 95 °C（用于蚀刻硅或去除 SU-8）或高达 300 °C 的电加热系统，可选空气冷却配置以实现稳定的工艺范围在 60 °C 和 300 °C 之间
系统控制基于带触摸屏的PC系统，使工艺过程可以在手动和自动多步操作中运行。该标准系统包含一个用于稳定过程压力的控制阀，以及两个带自动流量控制器 (MFC) 的气体管道；另外也可选配额外两个气体管道。
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GIGAfab A等离子系统
GIGAfab A 是一个由机器人系统全自动装载的等离子系统平台。各种选项配置使得相应的系统适应客户的特定要求。系统主要有两种配置，分别是：可满足小批量产要求的单个工艺腔室、单臂机器人、单个晶圆匣载台；以及可满足大批量产要求的多个处理室、双臂机器人、多个晶圆匣载台。基于此，PVA TePla可以根据客户的要求装备等离子系统。在这里可以使用开放式晶圆匣载台以及 FOUP 或 SMIF 站进行配置。
工艺腔室的设计与 GIGAfab M 系统的设计相同，不同的是此处的装载门被锁阀取代。在腔室内，有一个专用于放置晶圆的卡盘，卡盘可以根据需要配备温度控制器。使用带有冷却回路和冷却装置的系统，温度范围为 20 °C 至 95 °C；或者使用高达 300 °C 的电加热系统，可选空气冷却配置以实现 60 °C 至 300 °C 之间的稳定工艺范围。
一个标准的GIGAfab A系统包括以下设备：
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用于稳定过程压力的控制阀
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两个带自动流量调节器的 MFC 气体管道
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配备各种微波源用于去除涂层（根据客户应用和需处理的晶圆尺寸而定）
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系统控制基于带触摸屏的PC系统，使工艺过程可以在手动和自动多步操作中运行
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正面可配置具有特定晶圆尺寸的SMIF 或 FOUP 装置。或者，在开放式晶圆匣中为多种晶圆尺寸设置桥接配置
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GIGAfab Modular等离子系统
GIGAfab Modular 等离子系统是一款全自动单晶圆系统，可应用于 LED 和 MEMS 领域。装载机器人采用双臂设计，可实现高产量和低运营成本。此外，该系统最多可配备三个用于直径为 100 mm至 200 mm的晶圆的处理室。
处理室的设计已适应更小晶圆尺寸的要求。卡盘可通过电加热空气冷却系统实现 60 °C 至 250 °C 的稳定工艺范围，也可以通过带有冷却回路和冷却单元的系统实现 20 °C 至 95 °C 的温度。
GIGAfab Modular的优势：
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根据单晶圆操作的需求优化直接微波源，以确保所需的腐蚀均匀性
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系统控制基于带触摸屏的PC系统，使工艺过程可以在手动和自动多步操作中运行
每个工艺腔室模块都有自己的控制单元，并且包含一个用于稳定工艺压力的调节器，以及两个带有自动流量控制器 (MFC) 的气体管道；另外也可选配额外两个气体管道。
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