Kronos系统采用垂直梯度凝固(VGF)法,用以解决基本工艺问题。该系统的高工作压力意味着即使其组分具有高蒸气压的材料也可以结晶。该系统可在10-40巴的压力范围内用于不同化合物半导体的结晶。这种方法允许工业化生产晶体,例如砷化镓(GaAs)的工业化生产在最大10巴压力的标准版中实现,而磷化铟(InP)可以在最大40巴压力的标准版中实现。同时,PVA研发的一整套移动系统可为充电和排空提供便捷。
材料:砷化镓,磷化铟
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