该物理气相传输系统作为生产碳化硅材料的重要方法具有以下特点:
产品组合包括标准化的系统以及为客户定制的解决方案
该系统采用紧凑型的产品设计理念,在泵和电源方面为您提供高度灵活性的选择
该系统凭借广泛的配件选择以及高度的自动化,可实现工艺高复制性和提高生产率
PVA TePla通过为客户提供特定过程控制系统(如半导体行业常见的 MES(制造执行系统))的接口,提高了应用灵活性
客户可以通过直接联系PVA TePla的专家,随时对工艺制作过程中可能发生的意外或变化进行及时的修正、调整和系统优化
多年来,所谓的物理气相传输 (PVT) 工艺已成为生产作为宽禁带半导体材料的碳化硅单晶的标准方法。在此过程中,SiC 源材料,通常是 SiC 粉末,在超过 2000°C 的温度下通过升华转化为气相。然后在已有籽晶上从气体成分凝华形成SiC单晶。
随着可再生能源不断扩张的同时移动应用对于电力驱动的需求也在不断增长, 而高效和轻质的电力电子设备正在市场不断扩张。虽然硅具有几乎理想的微电子学特性,但就目前电子级应用而言,该材料系统正日益达到其物理极限。与硅相比,碳化硅具有更大的禁带带隙、更高的击穿场强和更高的热导率,使该材料系统成为制造高达千伏范围的电子器件的理想选择。
凭借SiCma产品组,PVA TePla 十多年来一直专注于生产和研究SiC单晶,立志将其开发成成功、符合商业标准以及可在PVT系统中自由使用的材料之一。
PVA TePla的物理气相传输系统已经在众多科学和工业领域的客户中多次证明了自己的实力。通过持续的进一步开发以及与来自工业界和科学界的合作伙伴的深入合作,确保PVT系统始终满足当前SiC行业的严苛要求。
SiCma系统专为通过物理气象传输(PVT)的方式生产碳化硅晶体而开发。在此过程中,粉末状的原材料在高温下被加热和升华,最后沉积在特定准备的基片上。这项工艺将通过使用一个感应线圈在千赫兹范围内完成加热。随着全球工业领域环保意识的提高,PVA TePla也紧跟时代步伐,通过对该感应线圈进行优化设计以实现低能源消耗。
可使用的基板尺寸为直径100至150毫米(4'' - 6'')。鉴于该系统的高度自动化和紧凑设计(较小的占地面积),可以实现该系统的生产规模最大化。此外,还有一个用于装载和卸载设备的移动系统,以及众多可以在模块基础上添加的选项,例如,真空泵和测量设备。
产品数据概览 :
最大钢锭直径: | 6" |
4英寸石英管的内径加工室: | 286 mm |
4英寸石英管的内径加工室: | 378 mm |
频率: | 6 - 10 kHz |
PVA TePla Singapore Pte. Ltd.
12 New Industrial Road, #05-03
Morningstar Centre
Singapore, 536202
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