FZ区熔系统

PVA的FZ区熔系统具有独特的行业前瞻性，可更好的为半导体行业提供全面解决方案，我们的优势如下： 

• 通过收购丹麦 Haldor Topsoe公司，PVA TePla在区熔（FZ）系统设计领域拥有数十年的专业设计经验 

• PVA TePla与高频发生器领域的技术领先企业长期合作。选择合适的发生器并使其适应各自的FZ区熔系统，以保证系统的最佳性能。 

• PVA TePla提供适用于关键部件（例如掺杂气体系统或再冷却系统）的各种系统类型的全面解决方案 

• PVA TePla通过与德国最知名的研究机构的合作，在系统设计、自动化和工艺开发领域追求持续发展。 

• PVA TePla的产品与竞争对手的工艺相比，在成本效率和可持续性方面都更胜一筹。 

区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺）导致的低降解，FZ晶体同样也适用于光伏行业。 

区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，并且拉速明显提高，因此降低了耗材成本（没有石英坩埚，只能使用一次）的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适材料中提取的晶体，可以通过多次处理并显著地提高纯度。