- PVA TePla 新加坡
- 产品展示
- 晶体生长系统概览
- FZ区熔系统
PVA的FZ区熔系统具有独特的行业前瞻性,可更好的为半导体行业提供全面解决方案,我们的优势如下:
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通过收购丹麦 Haldor Topsoe公司,PVA TePla在区熔(FZ)系统设计领域拥有数十年的专业设计经验
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PVA TePla与高频发生器领域的技术领先企业长期合作。选择合适的发生器并使其适应各自的FZ区熔系统,以保证系统的最佳性能。
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PVA TePla提供适用于关键部件(例如掺杂气体系统或再冷却系统)的各种系统类型的全面解决方案
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PVA TePla通过与德国最知名的研究机构的合作,在系统设计、自动化和工艺开发领域追求持续发展。
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PVA TePla的产品与竞争对手的工艺相比,在成本效率和可持续性方面都更胜一筹。
区熔(FZ)技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性,该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入,这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此,几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量(无坩埚工艺)导致的低降解,FZ晶体同样也适用于光伏行业。
区熔(FZ)技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比,FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化,并且拉速明显提高,因此降低了耗材成本(没有石英坩埚,只能使用一次)的同时也降低了能源成本。此外,无论是从硅还是其他合适材料中提取的晶体,可以通过多次处理并显著地提高纯度。
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FZ-30和FZ-35 区熔晶体生长系统
FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统专为工业生产直径达200毫米(8英寸)的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸,可以拉出长度为2000毫米的晶体。在这个过程中,晶体的直径和液态区的高度可以用摄像系统来监测。该系统采用无接触熔化工艺,通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体,产生高极限真空环境,有效地防止了工艺过程中的污染。
在FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统中,可以分别以高达3 bar和5 bar的超压产生氩气气体,用以培育大晶体。同时,上主轴和线圈都可实现自动定位。在FZ-30中,上主轴可以在X或Y方向上移动。两种系统类型都能够以受控方式将氮气引入工艺炉体。PVA TePla为您提供更多个性化选择,例如用于掺杂晶体的气体掺杂系统、封闭式去离子冷却水系统、源棒的修整器和调整籽晶方向的系统。
产品数据概览:
材料:硅
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